产棱 · 算力全产业链传导分析
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传导笔记
- 【光通信】 光通信紧缺不是「AI 需求好」，主阀门在硅光产能和 InP 缺料 光通信产业传导笔记 硅光产能紧缺、InP缺料与CPO量产的传导验证 ——市场说"AI需求好"，产棱说"技术路线切换+材料瓶颈+产能错配" 产棱 · IndPrism 产业传导笔记 笔记时点：2026年8月13日 依据来源：联亚法说会、AAOI产能指引、Omdia/InP供需数据、Ayar Labs/台积电CPO路线图 …
- 【存储】 华邦电、南亚科大涨的真正原因，不是周期回暖，而是HBM挤压下的"纯DRAM"稀缺性溢价 市场把华邦电、南亚科的上涨解读为"存储周期回暖"——这个判断方向对，但归因错。 真正的原因是：HBM对通用DRAM晶圆的挤压，导致利基型DRAM（Specialty DRAM）出现结构性短缺。华邦电和南亚科没有HBM产能，全部晶圆都用于通用/利基DRAM，反而成为HBM挤压效应的纯受益者。它们不是"周期股在涨"，而是"非HBM DRAM产能的稀缺性溢价在重估"。
- 【存储】 产棱观察 | 七月存储腰斩：杀掉的是溢价，还是周期？ 产棱 · IndPrism 专栏深潜 七月存储腰斩：杀掉的是溢价，还是周期？ 2026年7月全球存储股深度回调复盘 · 原因分层 · 后期机会情景 报告时点 / 数据截至：2026年8月8日｜版本：V1.0 主题：存储芯片 BK｜事件深潜 · 跨境对照 · 周期β × 结构α × 能力期权 配套阅读：《2026年7月 DRAM/NAND 周期位置》《全球存储原厂深度对照》《长鑫科技深潜》 公开信…
- 【AI芯片】 HBM中道景气：国内受益环节与公司映射 全球HBM中道的主利润与主订单，仍主要沉淀在韩系原厂自有中道线 + 美系TSV设备 + 荷/韩键合机 + 日系材料。国内主体受益的不是「分走SK海力士MR-MUF份额」
- 【存储】 存储产业链竞争位置：原厂 / 模组 / 主控 原厂（IDM）：占据利润池中心——掌控晶圆、HBM/企业级配额与长约；竞争在「技术世代 + 平台认证 + 产能纪律」。 模组厂：最被动——不产颗粒、依赖配额；2026 年靠融资囤货保供给，毛利受「买贵卖不动」挤压，差异化在渠道、工控/品牌与库存节奏。 主控厂（独立/商用）：中间层「卖铲人」——不吃颗粒暴利，但 SSD 出货与代际升级驱动 ASP/出货；同时面临原厂自研主控的结构性天花板，以及中国厂
- 【存储】 2026年7月 DRAM / NAND 周期位置与价格情景 当前处于「上行晚期 / 动量减速」：价格仍在上涨，但环比涨幅从极端高位回落。AI/HBM 结构性挤占使本轮不同于经典库存周期——不是底部，也尚未确认顶部。 一句话定位：卖方库存仍极紧、供需缺口仍在；但合约涨速已见顶、客户库存回升、消费端需求破坏——符合「延长超级周期进入成熟段」。