深潜底图
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HBM 配额
三寡头平台认证与中道；HBM 单 GB 吃晶圆远高于常规 DRAM。
证伪：HBM 配额松、组合恶化，原厂不再把晶圆优先拨给 HBM。
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DRAM 产能倾斜
同一批晶圆厂把产能拨给 HBM，常规 DRAM 供给被挤占。
证伪：原厂把晶圆大幅拨回常规 DRAM，且稼动不降。
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常规供需变紧
总量未必爆炸；结构极好与常规 DRAM 也紧可以同时成立。
证伪：渠道库存上升，合约价与现货价同向下跌。
NAND / 企业级 SSD 不走这条晶圆再分配：走云长约、接口世代与企业级认证。消费 NAND 是另外一路。
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传导笔记
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- 【传导笔记】 存储快照：HBM裂成两个价格世界，原厂CEO说短缺到2030 HBM市场已经分裂成两个价格世界：有长协的世界按合同价拿货，没长协的世界在现货市场付五倍。现货与长协的五倍价差，不是紧缺的程度，而是资格的定价——长协资格本身成了可计价的资产。这解释了为什么全球最大买方英伟达要把采购承诺一个季度加1600亿美元锁存储（产棱第12篇）：在五倍价差面前，押金的回报率高于任何扩产投资。
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跨境对照
中国
原厂颗粒 2 家
- 大陆 DRAM
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长江存储大陆 NAND
大陆 NAND，Xtacking，消费与企业级闪存
存储前道设备 7 家
- 刻蚀/PVD 平台
- 介质/硅刻蚀
- 清洗/电镀
- CVD/ALD
- ALD 专精
- CMP
- 干式真空泵
利基存储 4 家
- NOR+MCU
- SLC NAND
- 消费 NOR
- 矽成利基存储
接口配套 1 家
- DDR5 接口
日本
原厂颗粒 1 家
- NAND+闪迪厂
韩国
原厂颗粒 2 家
- HBM 份额
- 全品类原厂
存储前道设备 无
-
本层无对应主体无
无本土存储 WFE 龙头，产线设备以美日荷进口为主
中国台湾
原厂颗粒 1 家
- 利基 DRAM
存储前道设备 无
-
本层无对应主体无
无本土存储 WFE 厂，原厂扩产拉美日荷设备订单
利基存储 2 家
- NOR+Specialty
- NOR 原厂
接口配套 1 家
- NAND 主控
美国
存储前道设备 5 家
- EUV/DUV 光刻
- 沉积/刻蚀
- 刻蚀/沉积
- 检测/量测
- ALD/外延
内存模组 1 家
-
金士顿全球模组品牌
全球内存模组品牌，DRAM / SSD 渠道与 OEM 供应
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