快讯 · 2026年9月2日

HBM现货价已涨至合约价四倍，三星70%存储产能锁定长协至2031年，英伟达拿不够货。SK海力士CEO预计存储芯片短缺持续至2030年，HBM及企业级SSD缺到明年底，供给端严重紧缺。

Panasonic二度调涨CCL、PP，涨幅扩及IC载板材料达30%，子公司9月基板材料涨幅亦达30%。建滔积层板年内第七次涨价，玻纤布、铜箔成本飙升推动覆铜板价格持续上行，PCB上游材料成本压力显著。

MLCC景气度升温，高端器件交期超20周，瑞银指出库存创历史新低、价格涨势加速，SEMCO领涨4Q26对OEM报价开启上升循环。被动元件缺货拉警报，供给紧缺与涨价压力向PCB组装及下游应用传导。

台积电被曝追随三星对所有制程涨价10~15%，显示先进制程产能持续紧张、卖方议价能力增强。纯晶圆代工台积电连续两季拿下73%市场份额，进一步强化其价格主导地位。涨价将直接推高AI算力芯片制造成本，并向终端AI服务器及云厂商传导。

半导体硅片出现三年来首次全尺寸涨价，反映上游硅片供给趋紧、需求回升，价格锚点上移。AI驱动下硅片行业量价齐升，国产硅片企业加速差异化突围，进一步印证材料端供需格局转紧。

AI数据中心对电力和散热的需求持续紧张，供电成为选址与运营的核心约束。美国多州收紧数据中心监管，新泽西州开始纳管电力、用水信息，显示电力资源稀缺已引发政策干预。台湾方面，龚明鑫指出AI数据中心选址需'跟着电走'，中南部设置条件较佳，进一步印证供电瓶颈正在重塑数据中心地理布局。

DRAM、NAND价格续创新高但涨势放缓，行动内存采购价涨211%，内存成本已超越一颗顶级SoC价格。高盛维持三星、SK海力士买入评级，存储价格仍处上行通道，下游手机品牌同步涨价。

思科坦言CPO商业化部署迫在眉睫，可插拔模组、NPO、CPO多轨并存，显示下游数据中心对高带宽光互连需求急迫。辉达矽光子交换器放量，台积电、矽品、鸿海切入量产供应链，CPO从研发向量产切换，制造端产能与良率面临拉紧。

高端铜箔需求暴涨260%，反映AI及高频高速PCB对高端铜箔的拉动急剧增强。铜箔作为PCB关键导电材料，需求端放量叠加供给偏紧，形成上游材料紧缺与涨价压力。

戴尔Q2营收创历史新高并上调全年指引，AI服务器需求爆发成为核心驱动。浪潮信息上半年净利润大增270%，韩国8月AI芯片出口同比激增近七成，均印证AI算力硬件需求处于强劲扩张周期。需求端持续放量对上游GPU、HBM及先进封装产能形成挤压。

AI封装需求爆发但设备交期卡住产能扩张，日月光洪松井明确指出存在两大制造瓶颈。封测产能已成为AI军备竞赛一环，台厂砸数千亿扩产仍受设备交期制约，先进封装设备供给紧张形成硬约束。

Marvell客户最快明年部署光互连，铜退光进趋势加速，AI数据中心内部互连从铜线转向光纤。Micro LED光通讯正面对决铜线，錼创看好2年内商品化，光通信在短距高速互连场景对铜线形成替代压力。

长鑫存储官宣LPDDR6量产，自研高端移动内存实现商用，并成功导入HKMG技术突破DRAM微缩限制。传长鑫启动HBM3E风险试产，数周内或转入量产，对三星、SK海力士形成供给竞争压力。

台积电3D IC封装一年一代，何军指出软件、载板缺口比硬件更难解，显示先进封装在快速迭代中面临载板及设计工具等配套环节瓶颈。CoWoS不减、CoPoS接力，台积电延后下单仍有盘算，反映先进封装产能调配紧张且客户需求持续堆积。

光通讯与化合物半导体供应链各自出招，以长约绑定InP基板产能，反映上游InP衬底供应紧张。CPO与高速光模块放量预期下，InP基板作为关键材料出现产能锁定与紧缺压力。