快讯 · 2026年9月11日

HBM产能严重紧缺，HBM投片占比从19%冲至28%，排挤效应恐烧到2028年。中国AI芯片因HBM成本飙升报价大涨，华为、寒武纪传最高涨5成，中企传数倍价抢货。三星、SK海力士存储芯片库存不足10天，明年或现史上最严重短缺。

台积电8月营收首度突破5000亿新台币，同比猛增53%，创历史新高，NVIDIA与苹果拉货强劲，2nm及AI需求推升成长。台积电Q2晶圆代工市占扩大至72.5%，中科1.4nm四座新厂预计2028年完工，但外媒指出台积电拼命盖厂仍不够，最大瓶颈在于先进制程产能无法满足AI算力需求。

DRAM供给成长速度落后需求，2Q26 DRAM产业营收季增59.5%，供给扩张仍不及需求成长。长鑫科技明确下半年DRAM供给紧缺将延续，NAND供给长期偏弱，仅NAND明年底可能缓解。苹果罕见签3-5年NAND长约且不设价格上限，存储议价权易主。

矽光爆量引发InP供需缺口恐逾7成，光通讯战略资源大战开打。InP作为光通信关键上游材料，需求随矽光子放量急剧拉升，供给端缺口显著，形成硬性供给约束。惠特代工随InP供货缓解放量，进一步印证InP供给紧张对中游制造的传导压力。

黑石准备大幅提高谷歌TPU采购量，微软拟将数据中心容量提高两倍至38GW，OpenAI预计到2030年算力支出约7500亿美元。大摩指出GPT-6 Astra到来后AI算力根本没建够，新云CEO称供应曲线很难追上需求，算力短缺倒逼AI基建扩张。

CPO设备缺货潮蔓延，客户接连追单，部分供应商加班赶工，显示需求端强劲拉动与供给端产能吃紧并存。台积电领衔矽光子论坛，CPO预计下半年迈入量产，但测试环节Insertion 1到4各有难题，量产爬坡受测试瓶颈制约。

PCB上游高階玻纖布、銅箔、CCL出現搶料戰，供應吃緊加劇，專家指出真正瓶頸在材料端。AI需求帶動高階板材需求，上游材料供給無法同步擴張，形成緊缺應力。

内存成本飙升推高终端产品价格，2026年全球智能手机价格平均上涨15%，国产折叠屏迈入万元时代。显卡因记忆体吃紧再度涨价，华硕、技嘉上调中国大陆售价。日系通路商预估LPDDR4 2026年底前再涨5成，NAND看涨3-4成，消费型产品恐遭排挤。

AI与HPC芯片需求推动先进封装产能持续紧张，日月光投控8月营收822.47亿元续创新高，AI先进封测扮要角；封测及测试介面厂8月营收创历史新高。长电科技拟募资65亿元、深科技子公司拟投18.5亿元扩产，Amkor亚利桑那园区加码120亿美元扩二期，显示封测环节处于供不应求的扩产追赶状态。

High-NA EUV曝光减半瓶颈推动台积电与ASML合作开发12英寸光罩，目标2030年导入、2033年量产；英特尔已与ASML制造超过一百万片晶圆并推进6×12英寸光罩。ASML第二座大型生产园区动土、预计2029年落成，反映光罩与光刻设备环节存在技术升级与产能扩张双重应力。

美国数据中心建设遇阻，科技巨头转而看向澳大利亚，同时泰国暂停49个数据中心项目建设并拟加强行业监管，显示部分地区对数据中心扩张的审批与监管收紧。AI数据中心越来越难建，科技公司盯上'世界尽头'，反映核心区域土地、电力或政策瓶颈加剧，供给端落地节奏受制。

高通与AWS合作，1.6Tbps光互连成为AI基础设施关键，联合开发多代定制AI芯片及1.6T光连接方案。高盛力挺中际旭创，指1.6T光模块加速放量，今明两年净利润将大超市场预期，反映下游AI算力需求对高速光互连的强拉动。

村田削減消費與車用MLCC產能，優先保供AI產品，龍頭廠停產部分料號，產能排擠效應加劇。被動元件標準品需求回溫，國巨、華新科等迎轉單，勤凱銅膏稼動率衝120%，顯示上游材料與元件供給全面緊繃。

NVIDIA加价扫货测试介面产能，传台积电与芯片厂启动多元供应商验证，AI芯片Pin Count冲至2万，颖崴8月营收年增逾2倍。AI服务器ODM长短料失衡，部分料件缺口达15~20%，显示测试介面及关键零组件供应紧张。

康舒8月营收37.09亿元创单月次高，受益于燃料电池与数据中心需求带动，显示数据中心电力配套需求旺盛。北京科锐控股子公司中标约1.7亿元数据中心电力模块项目，进一步印证数据中心电力基础设施订单放量，电力模块供给紧张。

寧德時代鎖定上游雙雄40萬噸銅箔增量，顯示銅箔供給被大客戶提前鎖定，可能擠壓PCB鏈可取得產能。銅箔作為PCB關鍵材料，供給集中化將加劇其他廠商搶料壓力。