快讯 · 2026年9月5日

存储芯片价格持续飙升，日系通路商预估LPDDR4在2026年底前再涨5成、NAND看涨3~4成；DRAM 3年狂飙12倍，1公斤价值600克黄金。戴尔电话会明确表示“缺的就是DRAM”，AI积压订单逼近千亿，内存成本已超越一颗顶级SoC价格，下游手机、NB等终端被迫涨价。

英伟达释放信号称AI算力需求至少再狂奔一年，黄仁勋在G20强调算力已成国家级基建，未来几年迈向AGI。普华永道预测2050年数据中心累计投资将达31.6万亿美元，韩国AI预算暴增逾8成并启动1万颗GPU及三大巨型专案，显示全球算力需求持续扩张且未见终点。

HBM现货价已涨至合约价四倍甚至五倍，三星70%存储产能锁定长协至2031年，英伟达拿不够货；美光计划HBM月产能年底翻倍、HBM4占比提至五成，仍难以缓解AI需求缺口。SK海力士与三星双路线改写HBM角色，AI带宽瓶颈内移至内存。

英伟达投资者会议指出FY28若不受供应限制业务规模或翻倍，暗示当前GPU供应能力是核心瓶颈。台积电侯永清揭示AI需求失速挑战，全球同时建20座晶圆厂、设备采购需求近翻倍，崇越科技也喊出追不上订单，显示先进制程产能与设备供给紧张。

AI数据中心光进铜退趋势加速，硅光子将成为光收发器主流，CPO商业化部署迫在眉睫。思科坦言CPO商业化部署迫在眉睫，可插拔模组、NPO、CPO多轨并存；崇越携手日本SCIVAX布局CPO光学元件量产，康宁聚焦CPO与玻璃基板新解方，显示下游AI算力对高速光互连需求强劲，推动产业链扩产与研发竞赛。

Panasonic 传出二度调涨 CCL（铜箔基板）与 PP（半固化片）价格，且涨幅扩及 IC 载板材料，幅度高达 3 成。CCL 是 PCB 核心上游材料，二度涨价叠加 30% 涨幅将直接推高 PCB 与 IC 载板制造成本，形成上游材料价格锚定与供给瓶颈。

日月光洪松井指出AI封装需求爆发但设备交期卡住，存在两大制造瓶颈，先进封装产能扩张受设备供给制约。长电科技拟定增募资65亿元扩产高性能计算高端先进封装平台，反映产能缺口与资本开支压力。

半导体硅片出现三年来首次全尺寸涨价，显示上游材料供给趋紧或需求回暖，价格锚点上移。该涨价覆盖全尺寸硅片，对晶圆制造成本形成直接压力，可能向中游制造传导。

泰国政府暂停49个数据中心项目建设并拟加强行业监管，直接压缩东南亚区域数据中心新增供给。该政策导致在建及规划项目面临审批中断，短期内区域算力供给增速放缓，可能加剧东南亚市场数据中心资源紧缺。

CPO（共封装光学）量产在即，但20年老规范无法有效测试CPO，测试标准与设备成为量产瓶颈。科林研发指出CPO瓶颈在材料端，面板级封装尺寸长期将走向标准化；CPO先进测试战线前移，设备链组队抢统包主导权，显示测试环节供给能力尚未跟上量产需求。

博通AI营收两年上看2300亿美元，陈福阳看好订单能见度直达2028年，AI业务营收指引从560亿美元上调至580亿美元，定制芯片性能不输GPU。精测ASIC营收比将加速反超GPU，显示定制AI芯片需求快速攀升，对GPU形成替代竞争压力。

高端铜箔需求暴涨 260%，铜箔是 PCB 导电层关键材料，需求端因 AI 与高速运算板层数增加而急剧拉升。供给端若无法同步扩产，将形成上游材料紧缺，进一步加剧 PCB 制造成本与交期压力。

Google数据中心首次采用锌电池，GE Vernova发布中压UPS保障AI数据中心供电，伯克希尔CEO称AI数据中心是能源业务重大机遇，反映数据中心电力供应与储能环节面临持续压力。AI算力密度提升导致电力需求激增，传统供电架构难以满足，推动新型储能和供电设备需求上升。

长鑫存储DRAM市占首破10%，打破韩美三大厂垄断；官宣LPDDR6量产，自研高端移动内存实现商用，并启动HBM3E风险试产。长鑫开启全球校招、布局日本，半年营收1503亿元，对三星、SK海力士、美光形成供给端竞争压力。