快讯 · 2026年9月22日

DRAM/NAND三季度环比涨价20-30%，企业级SSD第四季价格持续上行，内存价格持续上涨。美光预测全球内存结构性短缺将延续至2028年，实质性新增产能要到2028年后才开始爬坡，DRAM恐缺到2030年。存储超级周期加码，AI需求吃光存储产能，供需缺口持续扩大。

微软在台数据中心从2座扩至4座，并明确表示两三年内算力供不应求，显示AI算力需求持续大于供给。台湾微软数据中心倍增至4座，算力缺口短期内难以填补。

数据中心用电需求激增，2026年全球数据中心用电需求预计年增31%，电网供应缺口自2028年起扩大。亚马逊以80亿美元与Generac签署七年战略大单，Meta、谷歌押注长时储能，均反映电力基础设施已成为数据中心扩张的核心瓶颈。

ASML 2027年EUV产能近乎售罄，公司瞄准2028年年产量突破110台，AI需求被形容为“非常非常强”。台积电斥资120亿购入High-NA EUV设备，进一步印证先进光刻设备供给紧张与需求集中。

三星全面转用外包扩产DDR5模组，自有产能全力向HBM倾斜，三星传统记忆体模组与SSD相关业务拟扩大委外。三星明年HBM4/HBM4E产量或翻倍，产品占比将从40%升至80%，导致传统DRAM/NAND产能被挤压。客户先付钱确保记忆体供应，三星预收款半年增逾7成，LTA绑住50-70%产能。

台积电晶圆代工传出涨价10%，AMD全系芯片Q4起跟涨10%，英特尔同步逆势提价。精拓科9月部分产品涨价以因应晶圆代工封装成本升高，显示先进制程代工价格向上传导。

半导体设备关键零部件交货周期已延长一倍以上，最长等待达40个月，直接制约设备交付与产能扩张。韩媒报道显示该瓶颈已从单一品类扩散至设备供应链整体，上游材料与零部件环节供给严重吃紧。

美国数据中心遭遇地方反对潮，全美二季度45个项目受阻，涉及规模达680亿美元，超10个州推动暂停或取消数据中心税收优惠政策。民主、共和两党均将数据中心视为嫌恶设施并以此争取选票，项目落地面临显著政策与社区阻力。

高盛大幅上修2027/2028年光模块需求，并明确指出供应链紧张将是明年最大出货瓶颈。1.6T光收发模组预计明年大出货，联亚、全新等InP供应链受关注，磷化铟需求获AI光互连支撑。光模块上游关键材料与制造产能面临供不应求压力。

数据中心对天然气和水的消耗引发监管关注，机构预测美数据中心十年内用气规模将超多数国家，德州已下令强制申报用水信息。欧盟亦要求数据中心进行能效评级，能源与水资源约束正在收紧数据中心运营空间。

CPO（共封装光学）从抽样检测转向量产测试，均英精密FAU客制检测已导入量产测试，SENKO、爱德万与VIAVI合作加速CPO模组量产测试落地，光焱科技提出“测试左移”先筛高风险晶粒。检测环节成为CPO规模化放量的关键瓶颈，测试产能与良率筛选能力面临紧缺压力。

台积电CoWoS-L先进封装突破光罩极限，稳居主流至2028年，显示AI芯片封装产能持续紧张。英特尔EMIB-T抢攻AI封装市场，台积电先进封装落腳高雄白埔园区并于21日动土，反映封装环节供给瓶颈。

PCB及CCL高阶材料出现供不应求，业者辟谣降规传言，表明高端覆铜板等材料供给紧张。大摩点名玻纤布、HVLP铜箔将成为缺货王，供需缺口曝光，进一步印证上游关键材料紧缺压力。

中国SiC晶圆产能吃紧，海外订单外溢至台系代工厂，显示碳化硅上游材料供给无法满足车用与AI需求。汉磊第五代SiC技术亮相并推出新品，反映厂商在供给紧张背景下加速技术迭代以抢占高压应用市场。

长鑫G5平台量产，DRAM工艺微缩到11.95纳米，国产DRAM跻身全球顶尖量产第一梯队。长鑫准备进入NAND闪存市场，挑战三星/长江存储，全球内存市场从三国演义变四国杀。中韩HBM差距剩3年，长鑫追赶三星、SK海力士，HBM/HBF首度纳入中国十五五规划。

贸联CPO已小量出货，但组装、散热与可靠度成为放量门槛。奥芯明指出CPO规模化落地进入关键阶段，异构集成与精密制造是核心制造议题。CPO从可插拔转向芯片旁光互连，制造良率与集成工艺成为新战场，放量受制于制造端能力不足。