快讯 · 2026年9月9日

长鑫科技明确表示下半年DRAM供给紧缺将延续，韩国券商指出三星、SK海力士存储芯片库存不足10天，明年或现史上最严重短缺。集邦数据显示DRAM供给成长速度落后需求，2Q26 DRAM产业营收季增59.5%，供给扩张仍不及需求成长。戴尔电话会直言“缺的就是DRAM”，AI积压订单逼近千亿，显示下游AI服务器对DRAM的抢货已形成硬瓶颈。

矽光爆量带动InP需求激增，标题明确指出InP供需缺口恐逾7成，光通讯战略资源大战开打。上游InP材料环节出现严重紧缺，供给无法满足矽光量产需求，可能推高材料价格并制约中游光模块与CPO产能释放。

苹果罕见签下3-5年NAND长约且不设价格上限，AI挤占产能令存储议价权从买方转向卖方。日系通路商预估LPDDR4在2026年底前再涨5成，NAND看涨3-4成。群联抢收中系模组厂低价NAND库存，显示市场对NAND后续涨价的强烈预期，价格锚定效应已传导至模组厂和终端品牌。

台积电执行副总侯永清指出AI算力需求极度饥渴，20座晶圆厂仍填不满AI胃口，速度30年未见。先进制程晶圆产能扩张速度落后于AI芯片需求爆发，构成制造端核心瓶颈。

台积电与ASML合作开发12吋光罩，目标2030年导入High-NA EUV、2033年量产，以解决High-NA EUV曝光减半的瓶颈。英特尔与ASML已用High-NA EUV制造超过一百万片晶圆，显示该技术进入量产验证阶段，但12吋光罩尚未就绪，构成先进制程推进的关键卡点。

CPO设备缺货潮蔓延，客户接连追单，部分供应商加班赶工，显示中游CPO制造环节产能紧张。需求端因AI光互连升级持续放量，供给端交期拉长，形成明显供不应求压力。

PCB上游高阶玻纤布、铜箔、CCL出现抢料战，供给吃紧成为产业瓶颈。新闻8指出抢料战越打越凶，高阶材料全面吃紧，专家揭示真正瓶颈环节。新闻3显示宁德时代锁定上游双雄并吞下40万吨铜箔增量，进一步挤压PCB用铜箔供给。

记忆体涨价挤压三星手机HDI供应链，显卡因记忆体吃紧再度涨价，华硕、技嘉上调中国大陆售价。调研显示2026年全球智能手机价格平均上涨15%，记忆体推升iPhone 18系列成本。记忆体成本飙升叠加消费疲软，印度三星裁近百名主管，显示存储涨价已对下游手机、PC、显卡形成成本挤压和需求反噬。

AI服务器ODM面临长短料失衡，部分料件缺口达15~20%，显示上游关键零部件供给无法匹配AI服务器拉货节奏。该缺口直接制约中游组装与交付能力，形成供应瓶颈。

美国、澳大利亚等传统数据中心建设热点地区出现建设遇阻，科技巨头被迫转向澳大利亚等替代选址。泰国直接暂停49个数据中心项目建设并拟加强行业监管，显示部分区域对数据中心的无序扩张开始收紧政策，形成供给端约束。G20上数据中心争议延烧，进一步印证该领域面临的政策与社会阻力正在上升。

高盛力挺中际旭创，指出1.6T光模块加速放量，今明两年净利润将大超市场预期，反映AI驱动下高速光模块需求强劲。同时高通官宣打入全球云计算龙头生态链，AI推理芯片+1.6T光连接进一步拉动光通信中游需求。

SEMI数据显示2026Q2全球半导体设备出货同比增长23%，连续两季创历史新高，ASML第二座大型工业园区动土以因应扩产需求。台系IPC厂与千附精密等设备供应链厂商角色转型升级，显示设备端需求旺盛但供给扩张存在时间差，形成产能瓶颈。

MLCC进入超级周期，标准品需求回升，带动上游铜膏等材料拉货动能。新闻1显示勤凯稼动率冲至120%并计划扩产，反映铜膏供给紧张。新闻6指出MLCC迎超级周期且国产化提速，新闻2确认被动元件标准品需求回暖。

英伟达释放信号称AI算力需求至少再狂奔一年，新云CEO亦表示供应曲线很难追上需求。OpenAI发布GPT-6 Astra采用10万GPU训练，进一步验证下游对算力的旺盛需求。