快讯 · 2026年9月26日

HBM供需缺口持续拉大，三星HBM4扩产但DDR5交期拉长至52周，SK海力士美国印第安纳HBM厂卷入诉讼，HBM产能竞赛添变数。美光预测全球内存结构性短缺将延续至2028年，潘健成称記憶體缺貨恐延續至2029年後。

野村光通信电芯片专家会指出，1.6T光模块的电芯片供应为主要瓶颈，缺口至少持续到2027年下半年，显示高速率光模块核心配套芯片产能严重不足。该缺口将直接制约1.6T光模块放量，并向上游硅光、CPO等环节传导交期与产能压力。

DRAM/NAND三季度环比涨价20-30%，排挤效应限缩颗粒供给带动价格走扬，2025年DRAM模组厂营收年增达59%。瑞银指出全球AI资本支出九成增量来自内存涨价，企业级SSD第四季价格持续上行。

美国多州收紧数据中心规范，2026年第二季度680亿美元项目延宕，全美二季度45个项目受阻。甲骨文巨型数据中心遭遇不可抗力，新墨西哥州项目发出不可抗力通知，恐无法按期完工。德州暂停核发AI数据中心环境许可，欧盟推出强制披露能耗和用水新规，监管压力显著推高建设与交付风险。

台积电2027年1月起晶圆代工价格确定上涨3%至6%，先进制程领涨，订单能见度直达2030年。AI算力需求持续挤压先进制程产能，导致晶圆代工价格刚性上行，下游芯片设计厂商成本压力加大。

大摩点名玻纤布、HVLP铜箔、光纤将成为缺货王，供需缺口曝光；CCL与铜箔赛道被指有百亿美元增量开启。上游关键材料供给紧张，价格存在上行压力，可能制约中游PCB产能释放并推高制造成本。

2026年全球数据中心电力需求容量将达161GW，年增约31%，电网排队时间过长迫使AI数据中心转向自发电，燃料电池站上C位。韩国拟在得州建200亿美元燃气电厂专供AI数据中心，储能大厂新签206GWh大单瞄准美国AIDC数据中心，电力供给缺口成为数据中心扩张的核心制约。

马斯克计划年底前将Colossus 2的英伟达芯片数量增加一倍，SpaceX数据中心GPU数量同步翻倍。Anthropic砸百亿美元扩算力并直接租赁1吉瓦算力，阿里云2032年算力目标超20GW，多方需求集中释放加剧AI芯片供给紧张。

京东方首秀15:1 TGV玻璃核心基板并以玻璃封装切入CPO，格罗方德、汉民集团等多家厂商密集布局硅光子与CPO测试，显示CPO从技术验证向量产导入加速。该趋势对传统可插拔光模块形成替代压力，同时CPO测试、玻璃基板等新环节出现产能与良率爬坡瓶颈。

AI需求持续拉动PCB行业产值扩张，集微咨询报告指出AI驱动全球PCB产值迈向千亿美元，台湾PCB全年产值有望首度破兆元，1H26台PCB制造产值已达5,247亿元创新高。需求端景气向上，中游制造环节面临持续扩产与交付压力。

Meta Muse上线十天用户冲至70万即出现算力不足导致的故障，服务降级、Agent失败，算力瓶颈浮出水面。华为昇腾900系列AI芯片产能连国内需求都无法满足，仅限中国市场供应，AI算力供给端缺口显著。

中国SiC晶圆产能吃紧，海外订单出现转单外溢至台系代工厂，显示SiC衬底/晶圆供应无法满足车用与AI相关功率器件需求。供给缺口正在向代工环节传导，构成上游材料供应瓶颈。

Anthropic洽谈租赁最高1GW数据中心容量，相关投资至少400亿美元。微软扩建台湾数据中心，拟从两座增至四座，鸿海、广达等受惠。阿里云栖大会提出20GW数据中心规划，Nscale IPO手握1030亿美元合同，85%靠微软与Anthropic两家支撑，头部科技巨头需求持续拉动数据中心供给紧张。

海外光刻胶巨头即将涨价，部分涨幅或超50%，直接推高半导体制造材料成本。国内产业链企业已就此回应，显示涨价预期正在向中游制造环节传导，构成上游材料价格锚定与供应紧张压力。

辉达被传催促台日韩供应链两年内交卷玻璃基板，京东方董事长表示玻璃基板已进入客户验证阶段，布局AI时代新成长曲线。玻璃基板作为下一代先进封装载板材料，技术验证与量产进度形成潜在供给瓶颈，若突破将重塑PCB上游材料格局。

华星光传获Marvell 800G ZR大单，AI光通讯动能延续至2028年；高意Q4业绩大增，AI光互连支撑磷化铟需求，显示AI数据中心对高速光模块及上游化合物半导体材料需求持续强劲。需求端拉动下，磷化铟等关键材料及800G/1.6T光模块供给持续偏紧。