快讯 · 2026年9月28日

戴尔高管明确警告代理AI带来的长期硬件需求，关键组件中内存和HDD短缺可能持续5年以上，且戴尔示警存储器短缺恐延续逾5年。潘健成亦表示記憶體缺貨恐延續至2029年後，美光预测全球内存结构性短缺将延续至2028年，多方产业声音指向存储芯片供给端持续紧张，DRAM/NAND三季度环比涨价20-30%，企业级SSD第四季价格预估持续上行。

野村光通信电芯片专家会明确指出1.6T供应为主要瓶颈，缺口至少持续到2027年下半年，显示高速率光模块核心电芯片环节存在严重供给约束。该瓶颈直接制约1.6T光模块放量，对中游光模块厂商形成交付与成本压力。

华为昇腾900系列AI芯片仅限中国市场供应，徐直军称产能连国内需求都无法满足。Meta Muse上线十天用户达70万即出现算力不足故障，Marvell指出铜连接与内存瓶颈成下一阶段算力扩张关键，算力供给端紧缺压力显著。

2026年全球数据中心电力需求容量将达161GW，年增约31%，电网排队时间过长迫使AI数据中心转向自发电，燃料电池站上C位。韩国拟在得州建200亿美元燃气电厂专供AI数据中心，储能大厂亿纬锂能新签206GWh大单瞄准美国AIDC，电力供给缺口成为数据中心扩张的核心制约。

HBM供需缺口持续拉大，产业链景气度维持高位，三星HBM4扩产喜忧并存，DDR5交期拉长至52周，三星明年HBM4/HBM4E产量或翻倍但产品占比将从40%升至80%仍难解缺口。SK海力士美国印第安纳HBM厂卷入诉讼，HBM产能竞赛添变数，进一步加剧供给端不确定性。

台积电2027年1月起晶圆代工价格上调3%~6%，先进制程领涨，订单能见度直达2030年。AI算力需求持续挤压先进制程产能，代工价格上行反映供给端议价能力增强，下游芯片设计及AI服务器成本压力上升。

美国多地收紧数据中心规范，全美二季度45个项目受阻，涉及680亿美元专案延宕。甲骨文新墨西哥州数据中心遭遇不可抗力，恐无法按期完工，并已发出不可抗力通知。德州暂停核发AI数据中心环境许可，欧盟推出强制能耗披露新规，监管与社区反对形成建设端瓶颈。

AI驱动全球PCB产值迈向千亿美元，台湾PCB产值全年有望首度破兆元，台PCB制造1H26产值5,247亿元创历史新高。AI服务器、光模块等高端PCB需求快速扩张，推动中游制造端产能利用率与产值同步攀升，形成供不应求的紧平衡格局。

半导体12英寸硅片长约价格出现上涨，部分涨幅或超50%，显示大尺寸硅片供给偏紧、上游材料议价权增强。该涨价直接推高晶圆制造成本，对下游制造与封测环节形成成本压力。

Tower豪掷40亿美元在日本建设最大光通信芯片基地，高塔半导体拟扩产日本打造AI光通讯芯片基地，显示硅光芯片环节正通过大规模资本开支缓解潜在供给瓶颈。该扩张反映AI驱动下硅光芯片需求旺盛，但短期产能释放仍需时间，供给紧张格局延续。

大摩指出CCL与铜箔赛道开启百亿美元增量，AI高速PCB对高频高速覆铜板及低轮廓铜箔需求快速放大。上游材料端供给弹性有限，高端CCL与铜箔出现紧缺预期，材料环节成为AI PCB放量的关键瓶颈。

半导体12英寸硅片部分涨价50%，已成为全球晶圆制造绝对主流基材。瑞银预估2027年硅晶圆恐涨价高达40%，AI需求压缩芯片供应链，上游硅片供给趋紧推动晶圆制造成本上行。

中国SiC晶圆产能吃紧，海外订单出现转单并外溢至台系代工厂，显示碳化硅衬底/晶圆供给无法满足车用与AI电源等需求。供给缺口推动代工资源紧张，利好具备SiC产能的厂商但加剧下游缺货压力。

辉达盯上玻璃基板，传催台日韩2年交卷，京东方董事长表示玻璃基板已进入客户验证阶段。玻璃基板作为下一代先进封装与高端PCB载板材料，技术验证与量产进度成为制约AI芯片封装载板供给的关键变量，短期存在技术瓶颈与供应缺口。

Anthropic洽谈租赁最高1GW数据中心容量，相关投资至少400亿美元，Nscale IPO的1030亿美元合同中85%依赖微软与Anthropic两家客户。德迅集团称未来三年AI数据中心相关货运订单已基本锁定，头部科技公司需求集中释放，但客户集中度过高带来收入稳定性风险。

京东方首秀15:1 TGV玻璃核心基板以玻璃封装抢进CPO，汉民集团汉测CPO测试大计2027发酵，显示CPO封装与测试环节成为光通信链新的技术竞争焦点。玻璃基板与CPO测试布局反映行业正突破传统封装瓶颈，但相关产能与测试能力尚未规模落地，构成中短期供给约束。