快讯 · 2026年9月16日

存储原厂以“友善通知”减少供货，DRAM供给持续收紧，2027年涨势难缓。彭博预测DRAM恐缺到2030年，HBM投片占比从19%冲至28%，排挤效应可能延续到2028年，导致DRAM、NAND供给紧张，南亚科、华邦电等厂商受惠。

台积电3/2纳米及CoWoS产能持续吃紧，AWS、联发科、TPU产能配置出现变动，2nm手机芯片竞争扩围且高通被曝与三星重启代工谈判，显示先进制程供给无法满足AI与手机SoC的叠加需求。台积电高管直言先进制程已无现成答案，2nm抢破头、2027年手机SoC制程分流策略恐延续，供给瓶颈向2026-2027年延伸。

ASML 2027年EUV产能已近售罄，并计划2028年将年产量提升至110台以上，显示AI驱动的先进制程扩产需求远超当前光刻设备供给能力。ASML同步破土建设第二座大型生产园区，并联合多家芯片厂商推进12英寸光罩及High-NA EUV量产规划，进一步印证EUV光刻环节构成半导体上游硬瓶颈。

村田因AI需求引发产能排挤效应，砍消费、车用MLCC产能并发出停产通知，优先保供AI用产品。此举导致消费及车用MLCC供给收缩，国巨、华新科等被动元件厂有望承接转单。AI用MLCC需求强劲，村田评估扩产逾两成，但短期产能向AI倾斜加剧非AI领域紧缺。

燃气轮机短缺预计持续至2030年，AI数据中心被迫重拾蒸汽锅炉作为替代供电方案，显示关键发电设备供应无法满足数据中心快速扩张需求。机构预测美数据中心十年内天然气用气规模将超过多数国家，能源设备瓶颈与燃料需求激增形成双重供给约束。

闪迪判断NAND供给将长期偏弱，NAND价格持续上涨，群联、威刚等厂商受惠。NAND仍处缺货状态，下一轮供给拐点可能先发生在bit层面，群联8月营收年增377%创历史新高，显示下游需求强劲与供给紧张并存。

硅光爆量引发InP供需缺口恐逾七成，光通信战略资源大战开打。InP作为光通信核心材料面临严重紧缺，将直接制约光模块与CPO产能释放。

Amkor亚利桑那封测园区二期投资加码120亿美元，深科技子公司拟投18.5亿元扩产高端存储封测，日月光8月营收822.47亿元续创新高且AI先进封测扮要角，显示AI芯片对先进封装产能需求持续拉升。三星电机与高通合作开发2.1D有机桥先进封装，矽品亚利桑那州布局将定案，先进封装环节处于供不应求的扩张周期。

NOR Flash出现短缺，华邦电直接受惠。2H26 NOR Flash价格走势分化，高容量产品涨幅上看90%~110%，高容产品仍看涨1.1倍，显示高容量NOR Flash供给缺口明显，价格大幅上行。

中国电信研究院报告显示未来2-3年我国算力需求年均增长近10倍，行云科技在手5年期算力长期框架订单达160.04亿元，Anthropic签署137亿美元算力协议，微软规划2032年算力扩增3倍。博通CEO陈福阳明确回应AI放缓担忧，称算力需求仍强劲、2028年营收上看2300亿美元，需求端未见实质性降温。

HBM大扩产推动混合键合技术平台化，键合设备进入革命性周期，上银已卡位韩国Semes混合键合设备供应单轴定位平台。蓝宝石载盘破解翘曲难题并亮相先进封装论坛，显示HBM及先进封装对键合设备、载盘等上游材料与零部件的需求同步拉紧。

CPO进入量产阶段，但组装、散热与可靠度成为放量门槛，贸联CPO仅小量出货。SENKO、爱德万与VIAVI合作加速CPO模组量产测试落地，光焱提出测试左移先筛高风险晶粒，显示检测环节成为制约CPO规模化的关键瓶颈。

美国共和党拟推动立法要求AI数据中心自行承担电费，同时逾10个州推动暂停或取消数据中心税惠政策，直接抬高数据中心运营成本并压缩项目回报。EIA数据显示商业部门占美国新增用电逾6成，电力成本压力与政策转向形成叠加，数据中心经济性承压。

高盛大幅上修2027/2028年光模块需求，并称供应链紧张将是明年最大出货瓶颈。1.6T光模块进入平台导入期，沪电股份1.6T交换机产品已批量出货，新易盛800G产品成为出货主力，显示下游AI算力需求持续拉动光模块出货。

玻璃基板与TGV成为2027年新战场，国际各方力求打通四大环节，凯鍶以铜胶填孔抢攻小孔径TGV，富强鑫携手韩国中科先峰引进高阶TGV封装设备。友达与台积电在玻璃基板尺寸一致上或有合作，显示玻璃基板技术路线竞争加剧，但量产与良率瓶颈尚未突破。