快讯 · 2026年9月17日

存储原厂以LTA绑定50~70%产能，客户需预付款确保供应，三星预收款半年增逾7成，DRAM/NAND Q4最高看涨30%。美光高管明确表示有意义的新增内存供应2028年才开始爬坡，目前仍看不到供需平衡点，DRAM恐缺到2030年。中小型手机、笔电业者已因记忆体短缺改产品设计、抢货，短缺延烧至2027年。

台积电3/2纳米及CoWoS产能持续吃紧，AWS、联发科、TPU等客户产能配置出现变动。2nm手机芯片竞争扩围，高通被曝因2nm产能紧缺与三星重启代工谈判，联发科天玑9600 Pro入场加剧抢单。先进制程供给缺口明确，应力方向为供不应求。

ASML的EUV光刻机2027年产能已近乎售罄，公司瞄准2028年EUV年产量突破110台，AI需求被描述为“非常非常强”。台积电购入High-NA EUV设备，进一步加剧高端光刻设备供给紧张，半导体制造端面临设备交期与产能双重瓶颈。

内存价格飙涨五到七倍，英特尔CEO预警内存短缺还会继续恶化。SK海力士正与英特尔洽谈在美生产存储芯片，美光推出全球首款超高密度内存模块，均指向存储供给紧张。存储芯片缺货涨价对AI算力硬件成本形成直接压力。

2026年全球数据中心用电需求预计年增31%，电网供应缺口自2028年起扩大。美国商业部门新增用电中数据中心占比超六成，电力基础设施无法匹配AI数据中心扩张速度，形成刚性供给瓶颈。

NOR Flash出现短缺，高容量产品2H26价格涨幅上看90%~110%，华邦电直接受惠。华邦电以11.2亿美元收购英飞凌NOR Flash与F-RAM事业100%股权，显示原厂通过并购整合应对供给紧张。NOR Flash短缺与涨价并存，供给端约束明显。

高盛大幅上修2027/2028年光模块需求，并明确指出供应链紧张将是明年最大出货瓶颈。1.6T光模块进入平台导入期，鸿腾精密扩张AI光互连版图，新易盛800G产品出货量持续提升并成为主力，需求端持续上修与供给端产能爬坡形成明显缺口。

村田因AI需求引发产能排挤效应，砍消费、车用MLCC产能并发出停产通知，优先保供AI用产品，导致消费及车用MLCC供给收紧。国巨、华新科等被动元件厂有望承接转单，反映MLCC产业供给结构正从消费/车用向AI倾斜，非AI领域面临缺货压力。

HBM荒叠加美国管制，中企传以数倍价抢货，华为、寒武纪AI芯片报价大涨最高5成，HBM成本飙升推升中国AI芯片报价。三星天安厂封装业务转向HBM接棒，SK海力士考虑赴美生产存储芯片，显示HBM供给紧张且地缘管制加剧。

中国电信研究院报告显示未来2-3年我国算力需求年均增长近10倍，AI巨头1.2万亿美元算力投资持续加码。Anthropic签下137亿美元算力协议，行云科技在手5年期算力订单达160.04亿元。算力需求端扩张速度远超供给端建设节奏，供需缺口拉大。

CPO进入量产阶段后，硅光子检测、模组量产测试成为关键瓶颈。SENKO、爱德万与VIAVI合作加速CPO模组量产测试落地，光焱科技提出“测试左移”先筛高风险晶粒，说明检测环节良率与效率制约放量。贸联CPO虽已小量出货，但组装、散热与可靠度仍是放量门槛，供应链在制造与测试端存在明显应力。

摩根大通指出未来两年资本开支仍有空间，半导体设备将成为“新瓶颈”。盛美上海临港厂房全部投产后整体年产值可达200亿元，设备厂商完成亿元级B轮融资，显示设备环节扩产与融资活跃，但供给仍难以满足AI驱动的晶圆厂扩产需求。

燃气轮机短缺预计持续至2030年，AI数据中心被迫重拾蒸汽锅炉作为替代供电方案。美国数据中心十年内天然气用气规模将超多数国家，备用与自备电力设备供应紧张加剧运营成本压力。

集微咨询发布《2026年CPO共封装光学行业研究报告》，明确CPO迈向量产元年，巨头订单与产能密集落地。Ayar Labs 2026年累计募资达6.5亿美元推动CPO量产规模化，台积电点燃CPO摩尔定律，奥芯明指出异构集成与精密制造是核心制造议题，显示CPO从技术验证转向规模制造的关键节点。

美国超10个州推动暂停或取消数据中心税收优惠政策，共和党拟加速立法要求AI数据中心自行承担电费。甲骨文因AI数据中心烧钱压力扩大裁员，重组成本增至28亿美元，反映政策收紧与运营成本上升对数据中心盈利能力的挤压。

村田大胆评估扩产MLCC，产能有望提高逾两成，并看好AI领域需求，同时MLCC出现量价齐升。村田攻AI芯片垂直供电的iPaS明年量产，显示AI用高端MLCC需求强劲，带动价格上行，但消费/车用料号停产可能加剧结构性短缺。