快讯 · 2026年9月23日

HBM供需缺口持续拉大，产业链景气度维持高位；三星明年HBM4/HBM4E产量或翻倍，产品占比将从40%升至80%，显示供给端扩张仍难满足AI需求。美光高管称有意义的新增内存供应2028年才开始爬坡，目前仍看不到供需平衡点，结构性短缺延续至2028年。

微软在台数据中心从原有规模扩增至4座，并明确表示两三年内算力供不应求；台湾微软数据中心倍增至4座，算力需求大于供给。字节跳动高喊砸千亿人民币采购，阿里云2032年算力目标逾20GW，显示下游AI算力需求持续大幅超过供给。

DRAM/NAND三季度环比涨价20-30%，排挤效应限缩颗粒供给带动价格走扬，2025年DRAM模组厂营收年增达59%。企业级SSD第四季价格持续上行，北美市场需求上调；内存价格在燃烧，芯片战争又打起来了。

GPU、ASIC之后CPU又来抢产能，ABF载板成为AI新瓶颈；载板缺料恐拖累中国AI算力，字节跳动高喊砸千亿人民币大采购。杰富瑞指出服务器CPU重回焦点，PCB、ABF基板或迎重估，显示上游载板供给紧张正制约AI算力芯片放量。

韩媒报道半导体设备关键零部件交货周期已延长一倍以上，最长等待达40个月，设备零部件供给严重吃紧。摩根大通亦指出未来两年半导体设备将成为新瓶颈，资本开支仍有空间但设备交付能力受限，上游设备零部件环节应力方向为紧缺。

美国多州收紧数据中心规范，导致2Q26约680亿美元项目延宕，全美二季度45个项目受阻、规模达680亿美元。德州暂停核发AI数据中心环境许可，显示地方政策对数据中心建设形成直接约束，供给端项目落地节奏显著放缓。

AI投资热推动高阶PCB材料需求激增，大摩点名玻纤布、HVLP铜箔将成缺货王，供需缺口曝光。PCB、CCL业者辟谣降规传闻，强调高阶材料供不应求，显示上游材料端供给紧张，应力方向为紧缺。

2家晶圆代工大厂再次酝酿涨价，传成熟制程代工厂正酝酿新一轮涨价；台积电代工涨价已传导至芯片端，AMD全系芯片据称Q4起涨10%，与英特尔同步逆势提价。12吋硅晶圆明年长约看涨，上游材料价格同步上行，显示制造端成本与报价压力向上游和下游双向传导。

2026年全球数据中心用电需求预计年增31%，电网供应缺口自2028年扩大。亚马逊以80亿美元与Generac签署七年战略大单，韩国拟在得州建200亿美元燃气电厂供电AI数据中心，反映电力基础设施成为数据中心扩张的核心瓶颈。

长鑫存储G5平台量产，DRAM工艺微缩到11.95纳米，国产DRAM跻身全球顶尖量产第一梯队；长鑫准备进入NAND闪存市场，与长江存储正面竞争。SK海力士旗下Solidigm考虑在美国建设首座NAND工厂，三星DDR5模组或委外代工，产能布局加速。

CPO（共封装光学）从研发走向量产，测试环节成为关键瓶颈。漢民集團旗下漢測的CPO测试方案要到2027年才发酵，均英精密FAU客製檢測从抽样导入量产测试，说明当前CPO量产测试能力尚未跟上产品演进节奏，测试产能与良率验证构成放量门槛。

台积电、日月光、力成、颀中科技、佰维存储等多家厂商密集启动先进封装扩产项目，高雄白埔园区、苏州颀中项目、佰维晶圆级封测三期等相继动工或投资，显示AI算力对先进封装产能需求持续拉紧。SMM报道明确指出AI算力瓶颈已从算力芯片转向先进封装、互连延迟与存储层级，先进封装环节成为关键供给约束。

中国SiC晶圆产能吃紧，海外订单外溢至台系代工厂，显示碳化硅衬底及晶圆制造环节供给紧张。汉磊第五代SiC技术亮相并抢攻AI与车用商机，Resonac成功开发12英寸碳化硅单晶衬底，反映SiC材料在能源变革与AI需求驱动下供需偏紧。

明年1.6T光收发模组将大出货，富驊1.6T交换机1Q27出货攻北美AI大厂，光模块速率从400G向3.2T跃迁。InP供应链（联亚、全新）与硅电容（村田220GHz）成为支撑高速光模块的关键环节，需求端AI数据中心升级驱动明确，供给端高端器件产能爬坡压力显现。

欧盟推出新规要求超500千瓦AI数据中心强制披露能耗和用水，并向科技巨头施压进行能效评级。美国共和党拟加速立法要求AI数据中心自行承担电费，监管趋严增加数据中心运营成本与合规压力。

铜箔告急信号出现，2027年一季度供需变局倒计时，锂价重挫背景下铜箔作为PCB关键材料面临供应紧张。中国第三大铜箔生产商利润涨11倍但现金漏20亿，显示铜箔环节盈利与现金流分化，供给端存在结构性压力。