快讯 · 2026年9月15日

存储原厂以“友善通知”减少供货，DRAM涨势2027年难趋缓；HBM投片占比从19%冲至28%，排挤效应恐烧到2028年。三星、SK海力士库存不足10天，明年或现史上最严重短缺，供给增速落后需求。

台积电3/2纳米及CoWoS产能持续吃紧，AWS、联发科、TPU等客户产能配置已出现调整，2纳米制程在2027年手机SoC领域仍面临抢产能局面。台积电8月营收首度突破5000亿元台币，扩厂速度空前仍追不上需求，显示先进制程供给缺口未缓解。

矽光爆量带动InP需求激增，标题明确指出InP供需缺口恐逾7成，光通讯战略资源大战开打。上游InP材料面临严重紧缺，将直接制约光模块及CPO量产进度，供应链紧张可能成为明年最大出货瓶颈。

中国电信研究院报告显示未来2-3年我国算力需求年均增长近10倍，微软拟将数据中心容量翻三倍至38GW，黑石准备大幅提高谷歌TPU采购量。行云科技在手5年期算力长期框架订单达160.04亿元，算力短缺倒逼AI基建扩张，需求端应力持续加大。

村田因AI需求引发产能排挤效应，砍消费、车用MLCC产能并发出停产通知，优先保供AI用产品，导致标准品供给收缩。MLCC出现量价齐升，客户扩大铜膏拉货，勤凯稼动率冲至120%并计划扩产，反映上游材料环节紧缺加剧。村田停产料号使国巨、华新科等被动元件厂迎来转单机会，供给缺口向二线厂商传导。

华为昇腾950DT加速卡报价上调至25万元以上，寒武纪、沐曦、天数智芯同步涨价，反映国产AI芯片供给紧张与需求旺盛。燧原科技上市首日暴涨188%，国产GPU四小龙齐聚资本市场，进一步印证算力芯片环节的稀缺性与定价权上移。

台积电与ASML联合推进12英寸光罩及High-NA EUV技术，目标2030年导入、2033年量产，以解决High-NA EUV曝光减半的瓶颈。英特尔与ASML已制造超过一百万片晶圆，显示High-NA EUV进入量产验证阶段。ASML第二座大型生产园区动土，预计2029年落成，反映设备端供给扩张以应对AI芯片需求。

AI数据中心电力基础设施面临严重瓶颈：燃气轮机短缺预计持续至2030年，迫使数据中心重拾蒸汽锅炉等替代方案。美国商业部门新增用电中数据中心占比超过六成，电力供给缺口直接制约数据中心建设进度与运营成本。

2H26 NOR Flash价格走势分化，高容量产品涨幅上看90%~110%，NOR Flash短缺使华邦电受惠。高容量NOR Flash仍看涨1.1倍，显示利基型存储供给紧张。

高盛大幅上修27/28年光模块需求，并明确指出供应链紧张将是明年最大出货瓶颈。1.6T产品进入平台导入期，沪电股份1.6T交换机产品已批量出货，高通与AWS合作锁定1.6T光互连方案，下游AI基础设施需求持续拉动光通信产业链。

HBM成本飙升推升中国AI芯片报价，华为、寒武纪传大涨最高5成；HBM荒加美管制，中企传数倍价抢货。长鑫存储HBM3良率最佳仅30%，生产HBM比DRAM难多了，供给瓶颈显著。

日月光投控8月营收续创新高，AI先进封测扮要角，单月营收达822.47亿元；Amkor亚利桑那封测园区加码120亿美元扩二期，深科技拟投18.5亿元扩大高端存储封测产能。先进封装站上超级风口，AI封测三雄8月营收齐扬，显示AI驱动下封测环节需求强劲、产能持续吃紧。

CPO进入量产阶段后，新关卡转向介面、良率与维护，矽光子检测难度凸显，测试左移成为筛选高风险晶粒的关键手段。CPO测试Insertion 1到4各有难题，量产良率与检测效率尚未完全突破，制约CPO规模化落地。

AI数据中心建设与运营成本持续上升，甲骨文因烧钱压力扩大裁员，重组成本增至28亿美元。浪潮信息拟定增募资不超过90亿元用于AI基础设施，反映行业对资金需求急剧膨胀，成本压力向企业端传导。

玻璃基板进入小孔径时代，凯锶以铜胶填孔抢攻TGV，富强鑫携手韩国中科先峰引进高阶TGV封装设备，显示玻璃基板通孔技术进入产业化竞争阶段。友达与台积电因玻璃基板尺寸一致传出合作可能性，沃格光电玻璃基器官芯片项目签约落地南京江北新区，反映玻璃基板在AI先进封装和生物芯片领域的应用需求快速扩张。九鼎新材澄清未涉及玻璃基板、电子布业务，侧面印证该环节技术门槛和产业热度。

美国逾10州推动暂停或取消数据中心税收优惠政策，政策转向增加选址与运营不确定性。中东战火波及AI基建，阿联酋拟重新规划数据中心版图，地缘冲突迫使企业调整布局，推高合规与迁移成本。